派瑞林真空鍍膜技術既包括化學氣相沉積（Chemical Vapor Deposition，CVD）又包括等離子體增強化學氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）。

CVD是一種將氣體化學物質在固體表面上沉積成膜的方法，其中的化學反應在高溫下進行。在CVD過程中，材料蒸發(fā)在氣相中，然后在真空室中的襯底表面沉積。這種方法用于生長厚度較大的均勻薄膜，具有較高的晶體質量和較小的缺陷。

PECVD是CVD的一種變種，它在高頻電場的激勵下使用等離子體來增強反應。在PECVD過程中，氣體在高頻電場的作用下被電離形成等離子體，使反應速率增加。由于等離子體的參與，PCEVD膜具有較高的密度和較好的控制性能。由于電離過程的作用，PECVD能夠以較低溫度進行膜沉積，缺陷較少，適用于功能膜的生長。

派瑞林真空鍍膜技術是同時結合了CVD和PECVD的優(yōu)點的一種復合方法。派瑞林真空鍍膜系統(tǒng)具備高溫、高真空度以及等離子激發(fā)等多種特點，可用于制備高質量的薄膜材料。該技術廣泛應用于光電、信息、光學和微電子等領域。

總的來說，派瑞林真空鍍膜技術既采用了化學氣相沉積（CVD）的高溫反應過程，又利用了等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）的高頻電場激發(fā)特性。這使得派瑞林真空鍍膜技術在沉積薄膜時既能保證較高晶體質量，又能提高沉積速率和材料控制性能，為不同領域的應用提供了一種優(yōu)化選擇。